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AQD-SD3L4GN16-SGW
4G SO-DDR3-1600 512X8 1.35V SAM -40~85C

Preliminary
  • 30u" Gold Plating Thickness
  • Anti-sulfurization resistance
  • Samsung original chip
  • Wide Temp. -40C to +85C
  • 100% tested for stability, compatibility and performance

規格 下載規格表

  • 產品料號
  • 相關訊息
Memory
  • Manufacturer
  • Capacity
  • Chip Manufacturer
  • Chip Organization
  • Rank
  • Interface
  • Frequency
  • Voltage
  • PCB Height
  • Feature
  • Operating Temperature

Memory

  • Manufacturer

    AQD-SD3L4GN16-SGW Advantech
  • Capacity

    AQD-SD3L4GN16-SGW 4 GB
  • Chip Manufacturer

    AQD-SD3L4GN16-SGW SAMSUNG
  • Chip Organization

    AQD-SD3L4GN16-SGW 512M X 8
  • Rank

    AQD-SD3L4GN16-SGW 1 Rank
  • Interface

    AQD-SD3L4GN16-SGW 204 pin
  • Frequency

    AQD-SD3L4GN16-SGW 1600 Mhz
  • Voltage

    AQD-SD3L4GN16-SGW 1.35 V
  • PCB Height

    AQD-SD3L4GN16-SGW 1.18"
  • Feature

    AQD-SD3L4GN16-SGW Unbuffered
  • Operating Temperature

    AQD-SD3L4GN16-SGW -40 ~ 85°C (-40 ~ 185°F)

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